日本半导体制造新锐企业Rapidus近日宣布，已正式启动2纳米制程GAA（全环绕栅极）晶体管的试制工作，并首次展示了其2nm工艺晶圆样品。这标志着全球最先进芯片制造技术从台积电、三星和英特尔主导的局面进入了一个新的竞争阶段。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

7月20日消息，据Tom’s hardware 的报导，日本新创晶圆代工厂商Rapidus 已经启动了2nm制程晶圆的测试生产，并计划推动其IIM-1 厂区的2nm制程在2027年量产。报道称，Rapidus的IIM-1 ...

最近，日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息：他们成功启动了2纳米（nm）环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）晶体管的试制，并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步，也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

GAA纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

” 三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，只是表示，GAA 架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，可满足某些栅极宽度的需求。 这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。

据 Chosun 最新报道，三星已经开始实施一项“选择与集中”战略，其主要目标是将 2 纳米 GAA 技术的良率提升至 60% 至 70%。一旦达到这一里程碑，大规模生产将成为可能，潜在客户也将进一步认识到其技术潜力。

《学习时报》2025年07月18日刊登商务部党组书记、部长王文涛署名文章《投资中国就是投资未来》，文章中提到，扩大外资开放领域。落实制造业领域外资准入限制措施“清零”要求，持续清理负面清单之外的限制性措施，确保开放举措落地实施。在负面清单以外的领域， ...

【日本半导体制造商Rapidus启动2nm GAA晶体管试制 首块晶圆亮相】《科创板日报》18日讯，日本半导体制造商Rapidus宣布启动2nm GAA晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。

英特尔以RibbonFET的名称亮相其GAA技术；如同台积电一样，英特尔也计划在其2nm节点上采用这种新的半导体制造制程。 除了PowerVia互连，英特尔还计划在2024年中推出GAA RibbonFET晶体管，同时为新制程技术创建一种内部虚拟节点。

GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。