这家纳斯达克上市的信号处理组件制造商强调，其专有的基于pHEMT技术的低温LNAs可在低至4开尔文的温度下运行，提供业内领先的低于0.1 dB的噪声系数。 这些专业放大器对于保持先进计算系统中量子信息的完整性至关重要。

砷化镓HBT、pHEMT器件性能主要来自于外延结构设计，利用能带剪裁、异质结带来的特殊特性实现性能提升，立昂东芯生产所需的外延片为公司设计后 ...

2025年1月2日，金融界报道，国家知识产权局信息显示，上海麓慧科技有限公司成功申请并获得一项名为“一种基于PHEMT工艺的提高输入低电平的反相器电路”的专利，授权公告号CN222234839U。这一专利的获得不仅为公司在技术创新 ...

格隆汇10月17日丨 立昂微 (605358.SH)在投资者互动平台表示，公司控股子公司立昂东芯的pHEMT工艺技术射频芯片产品已应用于国产低轨卫星并已实现规模 ...

得益于先进的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技术，此次发布的 QPA3390 在 1794MHz 频率下提供 23dB 的增益，并具有卓越的线性度。 它具备出色的回波损耗性能、低噪声，并可通过调节直流电流来获得射频（RF）输出与直流功耗间的最优平衡，是高性能宽带网络的理想选择。

假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频 (RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场 ...

假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频 (RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场 ...

0.25μm E-Mode pHEMT器件剖面 新微半导体PTA25工艺平台已通过了包括E/D Mode器件的HTOL、T/C、HAST以及被动器件的VRDB、TDDB、Vramp与uHAST等关键的可靠性测试项目在内的完整可靠性验证。

【报告篇幅】：150 【报告图表数】：120 【报告出版时间】：2023年 【报告价格】：￥16800 【报告出版机构】：麦田创投产业研究院 【邮箱】：[email protected] 【电话】: 134 8079 8915 本报告研究全球与中国市场砷化镓pHEMT的发展现状及未来发展趋势，分别从生产和消费的角度分析砷化镓pHEMT的主要生产 ...