ST1L05BPUR 极低静态 BiCMOS 稳压器的典型 ST1L05B 应用原理图 使用 STMicroelectronics 的 ST1L05BPUR 的参考设计 设计简介 相关文档 相关器件 网友评论 ...

3 ST操刀代工，提供独特的硅光和BiCMOS平台 数据中心互连的核心是成千上万的光收发器，这些器件进行光电和电光信号转换，在GPU、交换机和存储 ...

BiCMOS 是一种将双极型晶体管与CMOS技术融合的 半导体 工艺。 BiCMOS通过结合BJT的高频、高驱动特性与CMOS的低功耗优势，实现高速模拟电路与复杂数字逻辑的集成。 BiCMOS技术常用于通信芯片、高速光模块等场景，例如5G基站和量子计算控制单元。

如果你对BiCMOS具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。 一、什么是BiCMOS BiCMOS（Bipolar-CMOS）是一种将双极型晶体管（Bipolar Transistor）与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术集成在同一芯片上的先进半导体工艺。

通过TSV，还可以将BiCMOS产品封装到硅光器件的顶部，这是目前ST正在努力开发的新工艺，也会引入到 PIC100的产品家族当中。

ST1L05APU33R 极低静态 BiCMOS 稳压器的典型 ST1L05A 应用原理图 使用 STMicroelectronics 的 ST1L05APU33R 的参考设计 ...

摘要：比利时根特大学imec研究小组IDLab的一组研究人员展示了一种实现200Gbps总数据速率的光接收器。他们的方法结合了SiGe BiCMOS行波电子集成电路和硅光子锗光电探测器，不仅提供了速度，而且提供了可扩展性，这是想要满足爆炸式数据速率需求的两个先决条件。

由于元器件位于不同封装中，因此可以混合使用多种工艺技术——包括MESFET、pHEMT、BiCMOS和CMOS IC——来优化设计要求。 分立设计允许对性能与尺寸进行多方面权衡，设计过程的灵活性非常大。

因此，模拟IC早期使用Bipolar工艺，但是Bipolar工艺功耗大，因此又出现BiCMOS工艺，结合了Bipolar工艺和CMOS工艺两者的优点。

公司致力于采用业界锗硅BICMOS工艺，开发设计高集成度高性能的雷达芯片，集成毫米波电路和数字缓存器，高速同步串行口和模数转换器等功能，为 ...