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氮化镓射频器件的制造还需要铜夹、陶瓷基板、银烧结等高端封装工艺。美国本土缺乏 8 英寸铜夹封装线,不得不将裸芯运往马来西亚或韩国进行后段加工,再空运回国。运输和关税的叠加,使得每颗芯片的成本增加了 0.3 ...
我国在新一轮找矿突破战略行动中取得的一系列显著成果,不仅为国家能源资源的安全提供了坚实保障,也为未来我国能源结构的优化奠定了基础。铜、铝、铁等矿产找矿取得重大突破,为制造强国战略提供了坚实资源支撑。
民生证券股份有限公司邱祖学,南雪源近期对 中矿资源 ( 002738 )进行研究并发布了研究报告《2025年半年报点评:铜冶炼拖累业绩,期待铜矿镓锗项目投产》,给予中矿资源买入评级。
每经AI快讯,民生证券8月24日发布研报称,给予中矿资源(002738.SZ,最新价:40.56元)推荐评级。评级理由主要包括:1)事件:公司发布2025年半年报;2)锂:锂价下跌,盈利能力下滑;3)铯铷:资源优势突出,业绩持续增长;4)铜冶炼拖累业绩,预计下半年亏损将明显减少;5)铜、镓锗项目按计划推进,25年开始逐步贡献利润。风险提示:锂价超预期下跌,扩产项目进度不及预期。 每经头条(nbdt ...
近日,华为和山东大学的作者发布了一篇题为《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》的论文。在文中,他们介绍一种 1200 V 全垂直 GaN-on-Si 沟槽 ...
环球老虎财经 on MSN5 天

氮化镓,突破800°C

本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)编译自spectrum.ieee 宾夕法尼亚州立大学电气工程朱教授领导的研究人员设计出一款可在800°C下工作的氮化镓芯片。 在当前半导体市场,碳化硅和氮化镓——正展开一场激烈的竞争。
美国宾州州立大学团队成功研发可在 800°C 下运行的氮化镓 (GaN)半导体。其核心突破在于利用氮化镓 3.4 eV 的宽能带隙,通过添加铝栅极形成高电子迁移率 (HEMT)结构,提升晶体管响应速度与电流存储能力。目前该材料可持续运行约 1 小时,有望为太空探索、喷气发动机、高温制药等极端环境应用带来革新。
美国密歇根大学团队采用 “双离子束辐照技术”,模拟聚变能极端环境测试新型先进钢材 (RAFM 钢)。该钢材含纳米级碳化钛 (TiC)颗粒以捕获氦气,但实验发现高剂量辐射会导致 TiC 颗粒溶解失效,引发材料膨胀。这一发现为聚变反应堆材料的抗辐射优化提供了关键指导。
十轮网科技资讯 on MSN10 天

氮化镓芯片突破800°C,高温性能大爆发

在半导体领域,氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)之间的竞争持续升温。最近,宾夕法尼亚州立大学的研究团队在电气工程教授朱荣明的带领下,成功研发出一款能在高达800°C运行的氮化镓芯片,这一温度足以融化食盐,显示出其在极端环境下的潜力。
因此,镓未来也在重点拓展AI、光伏、新能源汽车等应用场景。 以AI应用为例,镓未来为广东省智能科学与技术研究院提供3.5KW的导冷电源,已小批量供货并稳定运行两年。
2025年8月7日,珠海镓未来科技有限公司(简称“镓未来科技”)宣布完成B+轮投资,投资方为海南山边投资。 此次融资将进一步推动镓未来科技在半导体器件研发及光伏领域的创新与发展。
此外,日本已将镓列为35种对国家安全至关重要的矿产之一。 镓的应用范围广泛,包括LED、 太阳能 光伏电池和复合半导体材料。