民生证券股份有限公司邱祖学,南雪源近期对 中矿资源 （ 002738 ）进行研究并发布了研究报告《2025年半年报点评：铜冶炼拖累业绩，期待铜矿镓锗项目投产》，给予中矿资源买入评级。

每经AI快讯，民生证券8月24日发布研报称，给予中矿资源（002738.SZ，最新价：40.56元）推荐评级。评级理由主要包括：1）事件：公司发布2025年半年报；2）锂：锂价下跌，盈利能力下滑；3）铯铷：资源优势突出，业绩持续增长；4）铜冶炼拖累业绩，预计下半年亏损将明显减少；5）铜、镓锗项目按计划推进，25年开始逐步贡献利润。风险提示：锂价超预期下跌，扩产项目进度不及预期。 每经头条（nbdt ...

近日，华为和山东大学的作者发布了一篇题为《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》的论文。在文中，他们介绍一种 1200 V 全垂直 GaN-on-Si 沟槽 ...

参与交易的锦江集团背后则是依靠纺织行业起家的浙江杭州富豪钭正刚，钭正刚控制的企业以及其一致行动人也常被称为“锦江系”。早在2016年，“锦江系”进入焦作万方之初，市场就猜测，三门峡铝业想借道进入资本市场。后钭正刚也曾尝试借壳 福达合金 （603045 ...

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自spectrum.ieee 宾夕法尼亚州立大学电气工程朱教授领导的研究人员设计出一款可在800°C下工作的氮化镓芯片。 在当前半导体市场，碳化硅和氮化镓——正展开一场激烈的竞争。

美国宾州州立大学团队成功研发可在 800°C 下运行的氮化镓 (GaN)半导体。其核心突破在于利用氮化镓 3.4 eV 的宽能带隙，通过添加铝栅极形成高电子迁移率 (HEMT)结构，提升晶体管响应速度与电流存储能力。目前该材料可持续运行约 1 小时，有望为太空探索、喷气发动机、高温制药等极端环境应用带来革新。

美国密歇根大学团队采用 “双离子束辐照技术”，模拟聚变能极端环境测试新型先进钢材 (RAFM 钢)。该钢材含纳米级碳化钛 (TiC)颗粒以捕获氦气，但实验发现高剂量辐射会导致 TiC 颗粒溶解失效，引发材料膨胀。这一发现为聚变反应堆材料的抗辐射优化提供了关键指导。

在半导体领域，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）之间的竞争持续升温。最近，宾夕法尼亚州立大学的研究团队在电气工程教授朱荣明的带领下，成功研发出一款能在高达800°C运行的氮化镓芯片，这一温度足以融化食盐，显示出其在极端环境下的潜力。

光刻机概念盘中走势活跃，截至发稿，中船特气、凯美特气、东材科技等涨停，华特气体、华懋科技涨超9%。 消息面上，据深圳市国资委消息，由市属国企深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，能显著降低氮化镓外延材料 ...

随着电力电子系统性能的不断提高，硅基（Si）功率器件已逐渐不能满足系统要求，在全球能源转型与半导体技术迭代的交汇点上，氮化镓（GaN）功率器件正以颠覆性姿态重塑电力电子版图。凭借 3.39eV 的禁带宽度、3.3MV/cm 的绝缘击穿场强及 2.5×10^7cm/s 的电子漂移速度，氮化镓在高频率、高功率场景 ...

近日，科技圈再次锦上添花! 2025年3月，杭州镓仁半导体的一则消息震动全球军工界，全球首颗8英寸氧化镓单晶成功量产。这为氧化镓雷达的制造提供了材料基础。这块直径20厘米的“透明圆盘”，不仅让中国在第四代半导体领域实现跨越式领先，更可能彻底改写现代空战规则。 01 氧化镓材料率先 ...

今年1月，镓仁半导体基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂。