根据贝哲斯咨询调研数据，2024年全球独立式氮化镓衬底市场容量达 亿元（人民币），中国独立式氮化镓衬底市场容量达 亿元。报告预测至2030年，全球独立式氮化镓衬底市场规模将会达到 亿元，预测期间内将以 ...

近日，华为和山东大学的作者发布了一篇题为《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》的论文。在文中，他们介绍一种 1200 V 全垂直 GaN-on-Si 沟槽 ...

充电头网近期拿到了某知名手机大厂的一款140W氮化镓充电器，这也是该品牌旗下首款PD3.1标准的快充产品。充电器机身通体白色，配备的是德标插脚，并配有单USB-C输出接口，支持140W ...

2. 联盟信任危机： ...

齐红基在演讲中提出，超宽禁带半导体新材料在新能源汽车、智能电网及轨道交通等应用领域前景极为广阔。氧化镓熔体法制备特点使其在大尺寸低成本制备方面有明显优势，是最有希望快速实现产业落地的超宽禁带半导体材料。中国依托丰富的原材料资源、广阔的器件应用市场，及 ...

GaN器件在制造工艺、外延设备以及系统级设计方面与传统硅功率器件存在显著差异，这使得代工模式难以充分发挥优势。与之相对的是，具备全链路整合能力的IDM模式正逐渐成为GaN发展的核心 驱动力 。

此外，今年36氪正式推出《36氪企业投资指南内参》，依托在经济圈产业群、区域重点推进规划与招商领域的深厚积累，36氪通过提供深入详细、更为及时、独家专有的全面信息服务，为政府部门提供高效、精准的产业项目内参；助力项目方匹配产业资金、链接关键人脉、快速 ...

RDK-85SLR套件包含了设计一个46W电源所需的全部组件，可在短时间内提供高达80W的输出功率，非常适合作为太阳能赛车的辅助电源应用。它采用PI公司的InnoSwitch3-AQ反激式电源芯片，搭载高效率的PowiGaN开关，无需 散热片 ，从而实现更紧凑、更轻便且更具成本效益的设计。套件内容包括一个电源样品、四颗InnoSwitch3-AQ芯片以及一块未焊接的PCB板，并附有详细的电源和磁性 ...

氮化镓是第三代半导体的一种。 第三代半导体主要包括碳化硅 (SiC)、氮化铝 (AlN)、氮化镓 (GaN)、金刚石、氧化锌 (ZnO)，其中，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。 2、产业链剖析：氮化镓制造涉及多个环节 ...

客户方面，镓未来的客户已覆盖手机、笔电、光伏微逆、户外储能、算力电源、AI超算、新能源等领域，包括联想、小米、昱能等头部客户，陆续实现量产导入，预计今年芯片销售收入将超过1亿元。

RDK-85SLR套件包含了设计一个46W电源所需的全部组件，可在短时间内提供高达80W的输出功率，非常适合作为太阳能赛车的辅助电源应用。它采用PI公司的InnoSwitch3-AQ反激式电源芯片，搭载高效率的PowiGaN开关，无需散热片，从而实现更紧凑、更轻便且更具成本效益的设计。

每经AI快讯，民生证券8月24日发布研报称，给予中矿资源（002738.SZ，最新价：40.56元）推荐评级。评级理由主要包括：1）事件：公司发布2025年半年报；2）锂：锂价下跌，盈利能力下滑；3）铯铷：资源优势突出，业绩持续增长；4）铜冶炼拖累业绩，预计下半年亏损将明显减少；5）铜、镓锗项目按计划推进，25年开始逐步贡献利润。风险提示：锂价超预期下跌，扩产项目进度不及预期。 每经头条（nbdt ...