证券之星消息，根据天眼查APP数据显示伊戈尔（002922）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种带开关的恒流LED装置”，专利申请号为CN202111440134.1，授权日为2025年8月1日。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“指纹检测电路、指纹识别模组和电子装置”，专利申请号为CN202010622365.3，授权日为2025年8月1日。

8月1日消息，据IDC行业分析师BryanMa透露，三星已宣布Exynos2600将成为首款采用三星代工2nmGAA（环绕栅极晶体管）工艺制造的旗舰芯片组，NPU性能有显著提升，并增强了对设备上AI功能的支持。值得一提的是，由于三星新 ...

追求二维材料中原始的电子质量是现代物理学和材料科学进步的核心，曼彻斯特大学的丹尼尔·戈尔巴乔夫和纳鑫领导的团队在这一领域取得了重大突破。研究人员与 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通过战略性地将 石墨栅极 放置在极靠近材料的位置，展示了 石墨烯 电子性能的变革性改进。这种创新方法涉及将栅极放置在仅一纳米之外，可显着减少电荷变化和潜在波动，最终提高 ...

美国加州的研究人员表示，将一种具有“负电容”特性的电子材料引入高功率氮化镓（GaN）晶体管中，有助于打破其现有性能限制。该成果近日发表于《Science》，实验结果表明，负电容技术能够绕过晶体管在开态性能与关态控制之间长期存在的物理权衡。研究团队指出，这一发现不仅意味着该技术在硅器件之外也具备潜力，其适用范围可能远超此前设想。

通过在石墨烯附近设置石墨栅极，研究人员实现了电荷不均匀性的显著降低，提升了电荷均匀性，波动幅度低于10开尔文。这一改进使得研究人员能够在仅几毫特斯拉的低磁场下观察到分数量子霍尔效应，显示出石墨烯的优异性能，超越了现有最先进的半导体材料。