IT之家 8 月 22 日消息，韩媒 Nate 当地时间 20 日报道称，三星电子正在向其当下最先进的 2nm 级制程工艺中导入 Hyper Cell 技术， 力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现 ，增强工艺在 AI / HPC ...

科研团队在晶体生产设备设计、晶体生长工艺以及缺陷控制等关键技术上取得突破，率先在国内实现了8英寸晶体的批量化制备技术，并成功研制出全球首个12英寸超大尺寸光学级铌酸锂晶体。

这，是一个5纳米的晶体管。现在一块主流芯片里，轻松塞下1000亿个！小到你无法想象，却无处不在：手机、电脑、汽车、火箭...全球总数，保守估计超过270万亿颗！绝对的电子世界基石！大家好我是火箭叔，时间回到1947年，发明它的肖克利、布拉顿、巴丁，谁也没料到这‘小不点’能翻天覆地！为啥？因为当初，它只是个‘备胎’ ...

韩国和日本的科学家团队发现了一种新型晶体，该晶体可以“呼吸”——在相对较低的温度下反复释放和吸收氧气。这种独特的能力可能会改变我们开发清洁能源技术的方式，包括燃料电池、节能窗户和智能热设备。

几十年来，准晶体——一种模糊了晶体与玻璃界限的奇特固体一直困扰着科学家们。与普通晶体不同，准晶体的原子排列从不重复，但却保持着高度有序。如今，研究人员首次利用量子力学模拟技术，揭示了这些材料存在的原因：它们本质上是稳定的，而非短暂的快速冷却。这一突破 ...

8月20日，在新一代信息技术创新论坛暨山东大学晶体材料全国重点实验室与山东产业技术研究院共建联合实验室和成果转化中试基地成立揭牌活动上，山东大学晶体材料全国重点实验室与山东产业技术研究院签署共建协议，双方共建的联合实验室和成果转化中试基地揭牌成立。

准晶体之所以特殊，就在于它 既有序又不重复 。它的原子排列虽然有长程的规则性，但又不像传统晶体那样周期性重复。它就像是一种介于晶体和非晶体之间的“新物种”。 传统的物理模拟无法解释这种复杂的非周期性结构，但密歇根大学的团队通过最新的 量子力学模拟 ...

MOS的工作原理类似于BJT晶体管，但有一个重要的区别： 对于BJT晶体管，电流从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。 对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。 2.1 如何打开MOSFET ...

随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一 ...

叉片晶体管的技术演进 叉片晶体管旨在为 GAA 晶体管扩展多代技术生命周期，直到 2030 年代 CFET 不可避免地接管市场。 内壁叉片晶体管设计在晶体管沟道之间（或旁边）设置介电墙，使 n 型和 p 型器件能紧密排列而不产生电干扰。

36氪获悉，第三代半导体材料SiC（碳化硅）单晶衬底研发、制备以及销售公司「同光晶体」于近期完成数亿元D轮的融资。本轮融资由联新资本领投 ...

MOS晶体管的应变硅技术于2003年由Intel首次在其90nm工艺技术中使用。 在该技术节点中，用于PMOS晶体管的Si-Ge源极漏极结构在沟道中产生压缩应变 ...