点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！在半导体制造工艺的前沿领域，FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术正 ...

FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）我们年年在聊，今年好像格外不同。 在前不久的第九届上海FD-SOI论坛上，三星详述了和ST联合准备推向市场的18nm FD-SOI；GlobalFoundries再度提及12nm FD-SOI——并且给出了更明确的时间线；UOxednc 年中CEA ...

第九届上海FD-SOI论坛今日在浦东香格里拉酒店召开，作为一年一度的FD-SOI全球顶级盛会，行业上下游也是悉数出席，作为该领域的几大玩家，三星、ST和GlobalFoundries分别分享了最新的进展。

全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）是一种平面工艺技术，依赖于两项主要技术创新。首先，在衬底上面制作一个超薄的绝缘层，又称埋氧层。 用一个非常薄的硅膜制作晶体管沟道。因为沟道非常薄，无需对通道进行掺杂工序，耗尽层充满整个沟道区，即全耗尽型晶体管。 这两项创新技术合称“超薄体硅 ...

芯东西12月25日报道，临近年末，各家芯片公司都开始总结过去一年的战绩，全球最大SOI（绝缘体上硅）衬底供应商法国Soitec公司也不例外。本周 ...

截止2024年，全球MEMS器件将达到约200亿颗，这对主攻150mm和200mm晶圆的代工厂来说意味着巨大的商机。在这个活跃的市场中，SOI（绝缘体上硅）晶圆为MEMS技术提供了一种智能解决方案，助力提升器件的工艺效率、良率及稳定性。

国务院日前印发《关于加快推进政务服务标准化规范化便利化的指导意见》，对进一步优化政务服务作出工作部署。 China is looking to further optimize its government services, standardizing and normalizing these services and making them more convenient, ...

Soitec射频业务发展高级经理Luis Andia在接受《电子工程专辑》独家专访时表示，5G是材料提供商、代工厂、设计公司、封装与测试、智能手机制造商、运营商和许多其他机构之间多年密切合作的结果，Soitec RF-SOI优化衬底上的CMOS就是其中一种工艺，Soitec的HR-SOI，iFEM-SOI和RFeSI系列产品，为使其成为先进 ...

格芯 (GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin Integration今日宣布，双方正在合作研发自适应体偏置 (ABB)系列解决方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX®)工艺技术芯片上系统 (SoC)的能效和可靠性，支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。

Chi Fulin, head of the China Institute for Reform and Development, said the establishment of more public services and a public service-oriented government will lay the foundation for boosting domestic ...