日本芯片制造商Rapidus宣布启动2nm晶圆的测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。在Rapidus位于日本的IIM-1厂区，已经展开了对采用2nm全环绕栅极架构（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作。

日本半导体制造新锐企业Rapidus近日宣布，已正式启动2纳米制程GAA（全环绕栅极）晶体管的试制工作，并首次展示了其2nm工艺晶圆样品。这标志着全球最先进芯片制造技术从台积电、三星和英特尔主导的局面进入了一个新的竞争阶段。

根据外媒报道，日本创业公司芯片制造商Rapidus已启动2纳米芯片的测试生产，并将其IIM-1厂区的量产目标订于2027年。 根据Tomshardware的报道，在Rapidus日本的IIM-1厂区已经展开对采用2纳米闸极全环 （GAA） ...

最近，日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息：他们成功启动了2纳米（nm）环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）晶体管的试制，并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步，也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。

7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

IT之家 7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。 Rapidus 于 2023 年 9 月 1 日举行了其首座晶圆厂 IIM-1 的奠基仪式、2024 年 ...

IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年，还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极（GAA）技术的良率 ...

来自中国的研究团队针对婴儿型庞贝氏症（GAA缺乏症）开展基因治疗研究，采用AAV9载体递送人源酸性α-葡萄糖苷酶基因（1.2×1014 vg/kg剂量）。52周观察显示3例患者心脏功能和运动能力显著改善，未检测到抗GAA抗体，为遗传代谢病治疗提供新策略。

这是台积电首次采用GAA生产2nm芯片，能效预计将提高10%至15%，能耗将减少25%至30%，晶体密度也比目前的3nm制程提高15%。

在半导体技术持续向纳米尺度推进的过程中，晶体管结构的创新成为突破物理极限的关键。从FinFET到GAA (全环绕栅极)晶体管的技术迭代，本质上是对量子隧穿效应、短沟道效应等微观物理现象的主动应对。GAA晶体管通过纳米片或纳米线结构实现栅极对沟道的四面包裹，而FinFET则依赖三维鳍片结构抑制 ...

快科技3月30日消息，近日，黄仁勋在GTC 2025大会访谈中表示，依靠环绕栅极（GAA）晶体管的下一代制程技术，将为新一代GPU带来20%的性能提升。如无 ...