日本芯片制造商Rapidus宣布启动2nm晶圆的测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。在Rapidus位于日本的IIM-1厂区，已经展开了对采用2nm全环绕栅极架构（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作。

日本半导体制造新锐企业Rapidus近日宣布，已正式启动2纳米制程GAA（全环绕栅极）晶体管的试制工作，并首次展示了其2nm工艺晶圆样品。这标志着全球最先进芯片制造技术从台积电、三星和英特尔主导的局面进入了一个新的竞争阶段。

根据外媒报道，日本创业公司芯片制造商Rapidus已启动2纳米芯片的测试生产，并将其IIM-1厂区的量产目标订于2027年。 根据Tomshardware的报道，在Rapidus日本的IIM-1厂区已经展开对采用2纳米闸极全环 （GAA） ...

当地时间周五，被称为日本“芯片国家队”的半导体制造商Rapidus举行发布会，宣布旗下工厂已经开始2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的测试晶圆原型制作，同时确认早期的2nm测试晶圆已达到预期电气特性。

最近，日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息：他们成功启动了2纳米（nm）环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）晶体管的试制，并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步，也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。

7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

IT之家 7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

Rapidus 于 2023 年 9 月 1 日举行了其首座晶圆厂 IIM-1 的奠基仪式、2024 年 12 月完成了洁净室准备，2025 年 4 月 1 日实现了初始图案的曝光与显影，到 2025 年 6 月完成了由 200 多个制造单元构成的生产线。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。 Rapidus表示，正在开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并将于2026年一季度向先期客户发布，同时为客户打造一个可自主开发原型的环境。Rapidus预计将于2027年开始量产。

（全球TMT2025年7月18日讯）先进逻辑半导体制造商Rapidus公司宣布，其2nm栅极全能（GAA）晶体管结构的原型设计已经在Rapidus的创新集成制造（IIM-1）代工厂开始试制。原型晶圆已启动电性参数测试。

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