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怎么理解垂直GaN?垂直GaN中“垂直”是指器件的结构,简单可以理解为器件中阳极和阴极相对的位置,目前大多数硅基GaN器件是平面型结构,即阳极和阴极处于同一平面上,导通电流在器件中横向流动;而垂直型GaN一般是基于GaN衬底,GaN衬底底面为阴极,阳 ...
它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在高工作结温条件下(最恶劣条件下)的值作为损耗及压降计算。
在工业4.0时代,从便携式电动工具到重型AGV(自动导引车),电池供电设备正加速渗透制造业、仓储物流和建筑领域。然而,工业级充电器的设计挑战重重:既要承受严苛环境(如高温、震动、粉尘),又需在120V~480V宽输入电压下保持高效稳定,同时满足轻量化 ...
导读:功率半导体作为新能源革命的核心器件,正迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。在“能源革命”的背景下,如何提升功率性能的同时降低功耗成为了行业的关键点。未来随着AI ...
关键词:双极性晶体管;功率MOSFET;雪崩击穿;寄生晶体管 1 引言 功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛,因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。
长晶科技是一家半导体元件生产商,集研发、设计和销售于一体,主要生产二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等产品,产品广泛应用于各消费类、工业类电子领域。近日,长晶科技完成新一轮战略融资,融资规模达亿元级别,本轮投资方包括江苏省节能环保战新产业基金、蓝天投资等,此次融资充分体现了资本市 ...
近日,山东大学与华为技术有限公司的研究团队在 功率半导体 领域取得了一项重要突破,他们通过氟离子注入终端(fluorine-ion implantation termination, FIT)技术,成功让全垂直硅基氮化镓(gallium nitride, GaN)沟槽金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect ...
2025年8月19日,半导体产品公司微芯科技(MCHP)成交额为3.29亿美元,在当日美股中排第303名,成交额较昨日增加0.70%,当日成交量为506.97万。 微芯科技(MCHP)于2025年8月19日跌1.30%,报64.71美元,该股过去5个交易日涨0.33%,整个8月跌4.26%,年初至今涨12.83%,过去52周跌21.11%。
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金融界汽车 on MSN比亚迪申请功率开关模块专利,减少电路通断过程中的能量损耗
金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,比亚迪股份有限公司申请一项名为“功率开关模块”的专利,公开号CN120511253A,申请日期为2025年03月。
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证券之星股票频道 on MSN股市必读:捷捷微电(300623)8月13日董秘有最新回复
截至2025年8月13日收盘,捷捷微电(300623)报收于32.65元,上涨0.03%,换手率3.83%,成交量27.83万手,成交额9.05亿元。董秘最新回复投资者: 请问贵司在半导体业务哪些产品已做到完全自主可控,实现国产替代?董秘: ...
在新能源发电、电动汽车充电等高频电力电子应用中,全桥逆变器作为核心功率转换单元,其开关管(MOSFET/IGBT)的VDS(漏源极电压)波形质量直接影响系统效率与可靠性。 实测数据显示,超过40%的逆变器故障源于VDS波形畸变引发的过压击穿。
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