怎么理解垂直GaN？垂直GaN中“垂直”是指器件的结构，简单可以理解为器件中阳极和阴极相对的位置，目前大多数硅基GaN器件是平面型结构，即阳极和阴极处于同一平面上，导通电流在器件中横向流动；而垂直型GaN一般是基于GaN衬底，GaN衬底底面为阴极，阳 ...

导读：功率半导体作为新能源革命的核心器件，正迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。在“能源革命”的背景下，如何提升功率性能的同时降低功耗成为了行业的关键点。未来随着AI ...

全球第三代半导体产业竞争的核心战场，正聚焦于一种坚硬如钻石的材料——碳化硅（SiC）。这种被誉为“未来电力电子基石”的宽禁带半导体，在新能源汽车800V高压平台、超快充电桩、航天电源等*领域具有不可替代性。然而，其产业化进程长期被一道关键技术壁垒所阻：碳化硅衬底高效、超精密无损伤的抛光工艺。这道工序的良率与效率，直接制约着下游器件的成本与性能，成为我国第三代半导体产业链自主化进程中亟待突破的“*后 ...

有人认为，哈曼今年的营业利润可能超过家电和电视业务，成为增长的“新引擎”。哈曼今年上半年营业利润达7907亿韩元（40.8792亿元人民币），同比增长41%，超过家电电视（5000亿韩元）。

【今日导读】 >磷化铟6英寸工艺突破 半导体材料自主化再迎加速周期 >智元合作伙伴大会即将召开 人形机器人产业热点再度升温 >智光电气签订储能系统采购合同 中国西电等上半年业绩增长 >泽璟制药获药物临床试验批准通知书 顶固集创获发明专利证书 【上证聚焦】○磷化铟6英寸工艺突破 ...