栅极的深凹槽是通过由等离子体增强CVD二氧化硅组成的硬掩模进行原子层蚀刻，然后湿法蚀刻以去除等离子体损伤来实现的。凹槽在栅极脚和 AL 之间留下了 5nm 的 GaNG一个 N 后屏障。

栅极驱动器须具备足够的驱动能力来降低损耗,且在足够高的开关频率下运行时,它必须具备高CMTI、最低的寄生电感以及优化的去饱和检测和软停机 ...

MPS芯源系统（NASDAQ代码：MPWR）近日发布的新产品MPQ6539-AEC1，是一款专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动器而设计的栅极驱动器IC，其输入电压高达80V，可驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥的车规级栅极驱动器。MPQ ...

金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120475720A，申请日期为2024年07月。 专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置可包括：栅极结构，其包括层叠的导电层和设置在导电层之间的绝缘区域；沟道层，其延伸穿过栅极结构；数据存储图案，其分别围绕沟道层并且设置在 ...

金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请一项名为“显示面板”的专利，公开号CN120452359A，申请日期为2025年06月。 专利摘要显示，本申请实施例提供一种显示面板；该显示面板通过在像素的至少一侧的栅极驱动电路中，在第一方向上，使第一类栅极电路的第二输出单元和第二类栅极电路的第二输出单元、位于第一类栅极电路的第一输出单元和第二类栅极电路的 ...

米勒箝位电路利用开关器件使MOSFET的栅极与源极之间的通路发生短路。 通过在相关MOSFET的栅极和源极之间添加另一个MOSFET来实现短路。 在图4.11中，如果电压降至预定义电压以下，低于米勒电压，则通过比较器提供逻辑高，开通栅极和源极之间的 MOSFET。

关于MOS管栅极串联电阻，特别是对工作在开关状态的MOSFET栅极串联电阻的作用，通常的解释是为了防止MOSFET开关过程中产生震荡波形，这不仅会增加 ...

使用低侧栅极驱动器驱动MOSFET在照明、功率转换、电磁阀驱动、电机控制和其他负载应用的地电压不稳的系统中很常见。 栅极驱动器能设计为可提供能高效驱动所需的高峰值电流。 许多HVIC（高电压IC）设备用来驱动半桥拓扑应用，因此包括一个低侧栅极驱动器。

盖世汽车讯 10月31日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新MOTIX™ TLE9189栅极驱动器IC，适用于12 V无刷直流（BLDC）电机的安全关键应用 ...

TLE9140还能自动调整栅极电流以实现所需的开关行为。 这使得系统可以通过较慢的转换速率来优化电磁发射（EMI），同时通过较短的死区时间和较短 ...

就隔离式栅极驱动器UCC5880-Q1而言，他并强调，TI不只提供芯片级解决方案，还提供整套系统解决方案。 “我们有一个和Wolfspeed共同开发的300kW牵引逆变器参考设计，将UCC5880-Q1和Wolfspeed的SiC模块搭配使用，并完成整体测试和认证。 ”他补充说。