29日业内报道，LG Display决定从明年起将双倍率驱动（DRD）方法应用于电视用OLED DDI。一位知情人士表示，“LG Display内部确认了采用DDR方法的政策。据称，LG Display 已为此与 DDI 制造商进行了讨论。

Exynos 2600 目前处于原型生产阶段，三星正借助其 2 ...

Investing.com - Summit Insights周四将泛林集团 (Lam Research) (NASDAQ: LRCX )的评级从买入下调至持有，理由是预计2026年晶圆制造设备 (WFE)支出将趋于温和。该股目前交易价格接近52周高点，市值为1267.5亿美元，年初至今表现强劲，上涨了37.94%。

功率变换器是电能利用的重要装置，其性能主要取决于其核心—功率半导体器件，常见类型有 ...

为维护中国用户网络安全、数据安全，依据《网络安全法》《数据安全法》《个人信息保护法》有关规定，国家互联网信息办公室于2025年7月31日约谈了英伟达公司，要求英伟达公司就对华销售的H20算力芯片漏洞后门安全风险问题进行说明并提交相关证明材料。

泛林集团宣布其2025财年第四季度业绩超出华尔街预期，收入和每股收益 (EPS)表现强劲。公司报告收入为51.7亿美元，超过预期的49.9亿美元，每股收益为1.33美元，高于预期的1.20美元。公告发布后，泛林集团股价在常规交易中上涨0.19%，盘后交易中再上涨0.65%，达到99.58美元。

加利福尼亚州的科学家表示，整合一种具有 “负电容” 这一奇特特性的电子材料，有助于高功率氮化镓晶体管突破性能瓶颈。发表在《科学》杂志上的研究表明，负电容有助于避开一种物理限制 —— 这种限制通常会迫使晶体管在 “导通” 状态和 “关断” ...

集成电路学院童乔凌教授和闵闰副教授主要从事高功率密度电源专用芯片技术研究，共主持国家级纵向项目11项，主持企业横向项目40余项。近五年发表中科院一区期刊论文20余篇 (JSSC、TPEL、TIE、TII等)。设计的SiC驱动与 脉冲电源 被用于“天琴一号”型号任务，助力我国掌握“无拖曳控制” (世界唯二)。设计的车规级高边开关驱动芯片先后通过AEC ...

三维晶体管结构包括FinFET和GAA ...

加州的科学家表示，集成一种具有奇特特性（称为负电容）的电子材料，可以帮助高功率氮化镓晶体管突破性能障碍。发表在《科学》杂志上的一项研究表明，负电容有助于规避通常要求晶体管在“开启”状态和“关闭”状态之间权衡的物理限制。该项目的研究人员表示，这表明，在硅中已被广泛研究的负电容，其应用范围可能比以往预想的更为广泛。

辐射探测技术在医疗影像、核安全、核物理研究和太空探索等领域发挥着关键作用。传统的气体电离室探测器虽然具有快速时间响应和灵活的结构设计优势，但其探测效率较低，难以满足高能辐射探测的需求。而现有的半导体探测器虽然探测效率高，却难以集成内部栅极结构，导致信 ...

《科创板日报》29日讯，知名分析师郭明錤称，特斯拉预计将在2027年量产AI6芯片，采用三星的2纳米（SF2）先进制程。SF2目前的良率是40-50%，低于台积电N2工艺的70%以上和英特尔18A的50-55%。SF2采用与SF3的GAA（环绕栅极晶体管）技术有利量产，但最终还是很难预测SF2工艺的AI6芯片是否能如期量产。