追求二维材料中原始的电子质量是现代物理学和材料科学进步的核心，曼彻斯特大学的丹尼尔·戈尔巴乔夫和纳鑫领导的团队在这一领域取得了重大突破。研究人员与 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通过战略性地将 石墨栅极 放置在极靠近材料的位置，展示了 石墨烯 电子性能的变革性改进。这种创新方法涉及将栅极放置在仅一纳米之外，可显着减少电荷变化和潜在波动，最终提高 ...

关于MOS管栅极串联电阻，特别是对工作在开关状态的MOSFET栅极串联电阻的作用，通常的解释是为了防止MOSFET开关过程中产生震荡波形，这不仅会增加 ...

许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。

通过在石墨烯附近设置石墨栅极，研究人员实现了电荷不均匀性的显著降低，提升了电荷均匀性，波动幅度低于10开尔文。这一改进使得研究人员能够在仅几毫特斯拉的低磁场下观察到分数量子霍尔效应，显示出石墨烯的优异性能，超越了现有最先进的半导体材料。

使用低侧栅极驱动器驱动MOSFET在照明、功率转换、电磁阀驱动、电机控制和其他负载应用的地电压不稳的系统中很常见。 栅极驱动器能设计为可提供能高效驱动所需的高峰值电流。 许多HVIC（高电压IC）设备用来驱动半桥拓扑应用，因此包括一个低侧栅极驱动器。

电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在 ...

栅极关断时，电流在电阻上产生的压降大于二极管导通压降时，这时二极管会导通，从而将电阻进行旁路，导通后，随着电流的减小，二极管在电路 ...

栅极驱动器须具备足够的驱动能力来降低损耗,且在足够高的开关频率下运行时,它必须具备高CMTI、最低的寄生电感以及优化的去饱和检测和软停机 ...

芝能智芯出品在现代电力电子系统中，功率MOSFET的栅极驱动技术是决定系统性能的关键因素之一。传统电压模式驱动（TVMD）虽在过去被广泛应用，但随着功率器件性能的提升和应用场景的复杂化，其局限性日益显著，例如能源浪费、效率低下以及米勒效应的干扰等问题 ...

TLE9140还能自动调整栅极电流以实现所需的开关行为。 这使得系统可以通过较慢的转换速率来优化电磁发射（EMI），同时通过较短的死区时间和较短 ...