Devicewafer工艺（即Pixel区域各种工艺，各层metal工艺）已完成，metal 上覆盖的passivation表面进行CMP平整化，做bonding准备工作。 图4体硅工艺 3.2.2 Device&carrier wafer alignment&adhesion Device&carrierwafer对位及粘合，如何对位？ 目前主要有以下几种adhesion工艺方法： ...

Pour la passivation, ils ont installé des couches d’oxyde d’aluminium de 4 nm d’épaisseur et de nitrure de silicium hydrogéné (SiNx/H) au niveau des deux faces de la cellule photovoltaïque.