接着，研究人员利用时间分辨 AFM 对 RCD-1 寡聚化和孔形成过程进行实时成像。他们发现存在两种不同的孔组装途径：一种是移动的寡聚体逐渐生长为更大的弧和狭缝，最终形成移动的环，这种前孔状态可能持续数十分钟后才插入膜中并排出脂质；另一种是短寡聚体（少至两个 RCD-1 二聚体）直接插入 ...

Rambus的DDR5 RCD产品在验证初期就可以满足交付标准，并且通过外部封测代工厂（OSAT）快速提高了产量，以满足客户对服务器启动和验证周期的需求。

RCD 在服务器级内存性能中起着至关重要的作用，使其成为 DDR5 发展过程中的一个重要里程碑。 为了更深入地了解最新 RCD 提供的具体益处，本文采访了 Rambus 数据中心产品工程副总裁 John Eble，以了解这项技术对 DDR5 DRAM 系统设计的重要性。

设计RCD缓冲电路时，预先设定缓冲电容器电压（Vcsn)和反射电压（VR),VR时次级输出绕组通过变压器匝比的反射电压. 当MOSFET关断时，Lk电流保持初始方向，忽略流向Coss的电流，假设全部电流流向Csn,相当于电感器与电压源串联，为电容器充电，故可从公式1计算出漏感的放电时间。

一方面，公司内存接口及模组配套芯片需求实现恢复性增长，DDR5下游渗透率提升且DDR5子代迭代持续推进，2024年上半年公司DDR5第二子代RCD芯片出货量 ...