在传统上， 0.15μm pHEMT制程是用在高频方面的应用。较少光罩层数的制程虽然带来较低的寄生电容的， 但也降低了对湿气的保护。为了要强化此一弱点，稳懋研发团队增加了一层称为湿度抵抗层 (Enhanced Moisture Ruggedness -EMR)使此制程更加优化， 并在电容与湿气上取得一个平衡。

近日，全球知名的射频微波MMIC厂商Hittite公司全新发布了一个SMT封装的pHEMT MMIC驱动放大器，满足DC到10GHz范围的蜂窝通信/4G，宽带，军事或者固定无线设备的高线性应用。 HMC788LP2E是一个采用GaAs技术的pHEMT MMIC增益模块。

摘要 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频 (RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型 ...

格隆汇10月17日丨立昂微(605358.SH)在投资者互动平台表示，公司控股子公司立昂东芯的pHEMT工艺技术射频芯片产品已应用于国产低轨卫星并已实现规模 ...