在传统上， 0.15μm pHEMT制程是用在高频方面的应用。较少光罩层数的制程虽然带来较低的寄生电容的， 但也降低了对湿气的保护。为了要强化此一弱点，稳懋研发团队增加了一层称为湿度抵抗层 (Enhanced Moisture Ruggedness -EMR)使此制程更加优化， 并在电容与湿气上取得一个平衡。

先进的半导体工艺，如安捷伦的增强模式pHEMT等，使单片微波集成电路 (MMIC)能够以低电压运行、耗电量低，并且具有低噪声系数 (NF)和高线性性能。由于大多数MMIC具有内部偏压和反馈电路，这些器件上的阻抗匹配更加简便，用这种器件设计的GPS低噪声放大器 (LNA)可显著减少元件数量，适合便携式应用。

格隆汇10月17日丨立昂微(605358.SH)在投资者互动平台表示，公司控股子公司立昂东芯的pHEMT工艺技术射频芯片产品已应用于国产低轨卫星并已实现规模 ...

摘要 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频 (RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型 ...

砷化镓HBT、pHEMT器件性能主要来自于外延结构设计，利用能带剪裁、异质结带来的特殊特性实现性能提升，立昂东芯生产所需的外延片为公司设计后 ...

得益于先进的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技术，此次发布的 QPA3390 在 1794MHz 频率下提供 23dB 的增益，并具有卓越的线性度。它具备出色的回波损耗性能、低噪声，并可通过调节直流电流来获得射频（RF）输出与直流功耗间的最优平衡，是高性能宽带网络的理想选择··· ...

格隆汇10月17日丨立昂微(605358.SH)在投资者互动平台表示，公司控股子公司立昂东芯的pHEMT工艺技术射频芯片产品已应用于国产低轨卫星并已实现规模 ...