三星半导体存储业务执行副总裁表示，与传统 NAND 闪存相比，新一代 Z-NAND 的目标是性能提升最高 15 倍，同时功耗降低最多 80%。该技术将针对 AI 应用，尤其是 AI GPU 进行优化，重点在于进一步降低延迟。

正处于业绩上升通道的美光科技（NASDAQ:MU）意外在中国挥出“裁员大刀”。日前，有媒体报道称，美光科技已在中国区启动“人员优化”，波及上海、深圳等地的嵌入式研发、测试及FAE/AE支持团队。据悉，此举伴随其全球战略决定，即刻停止所有未来移动NAN ...

A：闪迪本季度营收环比增长12%，主要得益于NAND芯片市场供应短缺。由于整体需求超过了供应，这使得闪迪能够提高产品价格。CFO表示位出货量和平均售价环比都实现了中个位数增长，价格上涨特别明显。

三星正致力于重新开发Z-NAND，其性能目标达到传统NAND闪存的15倍。 三星电子在搁置七年后，正决定重新启用 Z-NAND 内存技术，并将其定位为满足日益增长的人工智能 (AI) 工作负载需求的高性能解决方案。此举在美国举办的 2025 年未来内存与存储 (FMS) 论坛上宣布，标志着三星再次进军高端企业存储领域。 据报道，在此次活动中，三星内存业务执行副总裁Hwaseok Oh表示，公司正致 ...

快科技8月10日消息，据报道，三星计划重新推出其Z-NAND存储技术，目标性能比传统NAND闪存提升高达15倍，同时功耗降低80%。此外，三星还开发了一种名为“GPU-Initiated Direct Storage ...

对此，美光官方回应称，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，美光将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5（第五代通用闪存存储）的开发。

同样176层NAND闪存，美光则抢先一步实现了量产出货。 美光于2020年底宣布176层NAND 闪存量产计划，并于2022年初实现了全球首款176层QLC NAND固态硬盘批量出货。 如今，美光再次宣布232层NAND 闪存量产计划，不仅在堆叠层数高于三星224层，在量产时间计划上也早于三星。

三星己经开始量产它的48层3DVNAND芯片（48层单元栅在一个NAND中串接在一起，称作第三代）应用在SSD中，如SSDT3（mSATA及850EVOV2），NVMeSSD（PM971-NVMe）以及企业级SSD（PM1633a）。 在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元，表示 ...

中国是最大的NAND存储芯片需求国 2019年全球NAND闪存颗粒销售额达440亿美元，同比减少31.7%。 2020年，一方面全IDC、高容量5G手机需求强劲，另一方面由于资本支出的减少，2020年NAND Flash行业供给端增量有限，预计2020年销售额将达到570亿美元，同比实现回升24%。

结合全球NAND闪存的代表性厂商分析，全球NAND闪存的供给厂商主要集中在日韩美三大国家。 其中亚洲地区的韩国和日本合计占比超过60%，结合亚太地区还有中国台湾的代工生产，由此可见亚太地区是全球最重要的NAND闪存供给区域。

NAND Flash是存储芯片市场中的第二大“扛把子”，2024年NAND Flash占整个存储芯片市场的四成。 目前NAND Flash自给率低，仍然依赖进口，主流企业为美 ...

4、NAND FLASH市场趋势及发展前景 ——NAND FLASH市场趋势：3D化 3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。 ——NAND FLASH前景预测 闪存已经成为智能手机的一个重要组成部分。