此外，新一代3D NAND闪存还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。铠侠首席技术官宫岛秀表示，随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

随着存储原厂NAND Flash技术不断向更高密度、更大存储容量的TLC/QLC加速迁移，256Gb及以下容量的NAND产出同步大幅收缩，部分产品已逐步进入停产状态。在无其他替代方案情况下，未来将倒逼适用于低容量嵌入式产品的相关应用终端升级存储配置，以适应供应端的变化。

过去的十多年以来，三星一直是全球最牛的存储芯片厂商，NAND+DRAM这两种存储芯片合计，三星一家就占了45%以上的份额。 至于SK海力士、美光则只能排在三星后面，这两者加起来，大致也就和三星差不太多，可见三星有多强了。

三星己经开始量产它的48层3DVNAND芯片（48层单元栅在一个NAND中串接在一起，称作第三代）应用在SSD中，如SSDT3（mSATA及850EVOV2），NVMeSSD（PM971-NVMe）以及企业级SSD（PM1633a）。 在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元，表示 ...

4、NAND FLASH市场趋势及发展前景 ——NAND FLASH市场趋势：3D化 3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。 ——NAND FLASH前景预测 闪存已经成为智能手机的一个重要组成部分。

美光 宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是 美光 航空航天级 NAND 、NOR 和 DRAM 内存 解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计。

同样176层NAND闪存，美光则抢先一步实现了量产出货。 美光于2020年底宣布176层NAND 闪存量产计划，并于2022年初实现了全球首款176层QLC NAND固态硬盘批量出货。 如今，美光再次宣布232层NAND 闪存量产计划，不仅在堆叠层数高于三星224层，在量产时间计划上也早于三星。

4、NAND FLASH市场趋势及发展前景 ——NAND FLASH市场趋势：3D化 3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。 ——NAND FLASH前景预测 闪存已经成为智能手机的一个重要组成部分。

随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。 目前，NAND闪存市场的竞争正在加剧 ...

结合全球NAND闪存的代表性厂商分析，全球NAND闪存的供给厂商主要集中在日韩美三大国家。 其中亚洲地区的韩国和日本合计占比超过60%，结合亚太地区还有中国台湾的代工生产，由此可见亚太地区是全球最重要的NAND闪存供给区域。

金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司取得一项名为“3D NAND闪存存储器元件”的专利，授权公告号CN114300469B，申请日期为2020年10月。

快科技5月27日消息，据韩国媒体报道，三星电子即将退出多层存储单元（MLC）NAND型闪存领域。 消息人士透露，三星计划在6月之后不再接受MLC NAND型 ...