近日，全球DRAM市场正陷于跌宕起伏的浪潮之中。CFM闪存市场的最新报告显示，2025年年初至今，DRAM市场综合价格指数已攀升47.7%，其中6月单月涨幅高达19.5%。导致该现象的关键因素之一是三大DRAM内存原厂相继宣布，旗下以DDR4和LPD ...

DDR5与HBM倾斜，其长期增长趋势明确。三星5月初与客户敲定的方案中，DDR5价格调涨约5%，反映出市场对其需求的稳步增长。 本轮DRAM涨价始于2025年二季度，部分DDR4型号单月涨幅逼近50%，涨势延续至今，波动幅度创八年来新高。

智通财经APP获悉，广发证券发布研报称，在未来的新技术方向中，4F2和类似于3DNAND领域的CBA技术，有望成为DRAM芯片进一步提升PPA的重要突破口。4F2和CBA等新兴技术的发展，有望带动DRAM行业设备需求持续提升，随着新兴技术路线的探索和应用，设备需求有望进一步多元化，从而打开成长空间。叠加相关设备国产化的趋势，本土半导体设备成长空间有望进一步拓宽。 通过分析目前DRAM芯片的结构设计 ...

TrendForce集邦咨询最新报告显示，2025年第三季度DRAM内存市场将迎来显著涨价潮，预计整体价格涨幅达10%-15%，若计入HBM高带宽内存，涨幅可能扩大至15%-20%。这一轮涨价的核心逻辑在于DRAM厂商主动调整产能结构，引发市场供需失衡。

SK海力士不仅在HBM市场保持领先地位，更在全球DRAM市场表现强劲。SK海力士凭借在HBM领域的技术优势，于今年第一季度超越连续33年蝉联DRAM市场霸主地位的三星电子，首次登顶首位，并在第二季度继续保持领先优势。

外媒在报道中还提到，由于DRAM是高带宽存储的关键部件，三星电子下一代DRAM的良品率大幅改善，对他们HBM4的发展是一个积极信号，三星电子的目标 ...

2020年预计DRAM销售额同比回升，2026年市场规模在千亿美元之上 根据IC Insights最新预计，2020年全球DRAM预计实现销售额652.15亿美元;2016-2020年市场年均复合增长率为12.4%。 据此，前瞻预计到2026年全球DRAM市场规模有望达到1219亿美元左右。

存储芯片行业分析报告：全球DRAM市场竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、SK海力士、美国美光三大寡头垄断全球市场。合肥长鑫是我国唯一拥有DRAM自主生产能力的公司，目前已具备量产能力，目前工艺尺寸为19nm，仍然落后于国际三大巨头，但合肥长鑫DRAM工艺水平、产品性能均向三星等厂商不断 ...

SK海力士DRAM价格上涨，预示着整个DRAM 市场价格走势的转变。 行业内其他厂商可能会参考SK海力士的价格策略，跟进调整价格，从而带动DRAM市场整体价格回升。 这也将促使半导体厂商重新审视产能布局，加大对DRAM业务的投入，推动行业技术升级和产能优化 。

编者按：本文来自微信公众号“半导体行业观察”（ID：icbank），作者 李寿鹏，36氪经授权发布。原题目《奇梦达的前世今生》 谈起DRAM，奇梦达绝对 ...

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb (16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。相关专利申请于2023年4月6日与美国专利申请公布一起公布。 3D X-DRAM阵列结构 (来源： NEO) ...

电子工程专辑讯 近日，据BUSINESSKOREA报道称，在6月16日至6月20日于美国夏威夷举行的半导体会议 "VLSI 2024 "上，SK hynix提交了一份关于3D DRAM的研究论文，论文指出，SK海力士的五层堆叠的 3D DRAM 的生产良率达到了 56.1%。这意味着，在单个测试晶圆上制造的约 1,000 个 3D DRAM 中，生产出了约 561 个可行器件 ...