在人工智能、云计算和大数据等前沿技术的驱动下，不论是普通消费者还是企业级客户，对于存储的需求是愈加强烈。而传统存储技术相对滞后的发展速度显然已经很难满足现实的需求，市场急需新一代存储技术的出现。 近日，专注于ReRAM技术的Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的ReRAM ...

Crossbar申请了100项相关专利，其中30项已被批获。 IHS的高级分析师Michael Yang说： 我们今天所存储的90%的数据都是近两年产生的。

Crossbar是目前竞相投入开发非挥发性内存 (NVM)技术的多家公司之一；NVM技术可望用于取代闪存，并可微缩至28nm以及更先进制程。尤其是在相变内存无法成功用于商用市场后，ReRAM已被业界视为一种更可能取得成功的备选技术。不过，ReRAM技术也有多种版本，在许多情况下，可能无法完全深入了解在其 ...

单芯片1TB！Crossbar RRAM挑战闪存美国加州创业公司Crossbar, Inc.经过长期沉默后突然爆发，宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术 ...

成立于2008年，总部设立与加州圣克拉拉的Crossbar致力于开拓新一类的非挥发性电阻RAM（RRAM）内存技术，提供能够存储太字节（TB）邮票大小的存储器 ...

Crossbar said it has filed 100 patents, with 30 already issued. Michael Yang, a senior analyst for memory and storage at market researcher IHS, said, “Ninety percent of the data we store today ...

“Crossbar has once again broken through traditional boundaries with its innovative and patented 3D RRAM technology,” said George Minassian, CEO, Crossbar Inc. “With 1TnR, companies will realize the ...

Crossbar's technology will deliver 20x faster write performance, 20x lower power consumption, and 10x the endurance at half the die size, compared to today's best-in-class NAND Flash memory.

Crossbar's deal with Microsemi is just the start of the NVRAM races. Expect to see more announcements around competing technologies from Nantero, Everspin, and others in the near future.