他们的研究报告发表在《自然》杂志上，介绍了一种新型材料设计，该设计实现了破纪录的器件性能，达到了 24.2% 的峰值外部量子效率 (EQE)，最大亮度为 24,600 cd m-2，是迄今为止报道的最亮的纯红色 PeLED。

上述成果深化了对宽禁带氮化物中载流子动力学与缺陷相互作用机制的理解，对提升紫外LED注入效率、实现高性能光电器件具有重要意义。该论文第一作者是中国科学院长春光机所特种发光科学及应用全国重点实验室2022级博士研究生杨喻心，通讯作者是石芝铭研究员、魏苏 ...

该研究首次完整解析了TMDCs中载流子的多阶段扩散机制，提出缺陷密度与介电环境是调控传输性能的关键。 负扩散现象的发现为非线性输运理论提供了实验依据，而厚度依赖的扩散差异为器件设计（如选择单层实现超快响应或多层稳定传输）提供了指导。

在晶硅表面构建特定方向的电场，这有助于提升载流子的选择性传输，从而抑制表面复合。研究者已通过固定电荷或偶极子等方法验证了这种场钝化 ...

热载流子在无机材料研究广泛，但在有机体系潜力未被充分挖掘。研究人员对二维共轭配位聚合物 Cu3BHT（BHT：苯六硫醇）薄膜展开研究，发现其中热载流子具有高迁移率，这为推进有机热载流子应用提供了新方向。

该文首先介绍了各类低维钙钛矿材料如二维层状钙钛矿 (2D PVKs)、钙钛矿纳米线（PVKs NWs）以及量子点 (PVKs QDs)中的载流子动力学过程，包括载流子的 ...

MOSFET热载流子效应及器件性能监测 今天的超大规模集成电路MOSFET器件具有极短的通道长度和高电场。在这些高电场中，载流子被加速到高速，在器件漏极附近达到最大动能（热）。如果载流子能量足够高，就会发生撞击电离（漏极雪崩热载流子效应），产生电子-空穴对（图1）。这些空穴和电子可以 ...

这些少数载流子由于扩散而渐渐远离pn结并最终与多数载流子（多子）复合。 在正向偏置下的扩散电流也是复合电流。 复合的速度越高，通过pn结的扩散电流就越大。 “暗饱和电流”（I0）是区别两种不同二极管的非常重要的参数。

然而，当载流子的能量低于ΦB时，载流子缺乏足够的能量来克服势垒到达半导体侧，从而阻碍了光伏转换（图7c）。 由于半导体的功函数和费米能级位置不同，将狄拉克半金属与不同的半导体结合，形成ΦB值不同的肖特基结。

由于二维材料的特性，这些载流子可以在很短的距离内获得足够高的能量，然后在垂直电场的作用下注入到陷阱层（注：在闪存中，信息的存储和擦 ...

电荷载流子迁移率 在本文中，我们将使用Drude-Lorentz模型，这个模型完全基于经典力学，唯一的“外来”成分是电子的有效质量m ∗。我们可以将电子视为不受力影响的经典粒子，这样，就避免了量子的复杂性，因为我们还必须考虑晶格离子所施加的周期性势能。在极端综合的情况下，我们会遇到 ...

9)时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； ...