它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在高工作结温条件下（最恶劣条件下）的值作为损耗及压降计算。

这几年，华为在芯片上的布局可谓非常广泛，而在最近，山东大学和华为技术有限公司的一篇论文引发了关注。山东大学和华为在中国使用氟（F）离子注入终端（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了12 ...

CoolSiC™ 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。

1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封装 面对高母线电压应用进行了优化设计，能够轻松适应母线电压大于1000V的场景，该系列产品的功率管脚加粗至2mm，使得器件能够承受更大的电流，背板回流焊的设计，提升了产品的可靠性，为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。

奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET（ASFET），该系列产品采用紧凑型8x8 ...

长晶科技是一家半导体元件生产商，集研发、设计和销售于一体，主要生产二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等产品，产品广泛应用于各消费类、工业类电子领域。近日，长晶科技完成新一轮战略融资，融资规模达亿元级别，本轮投资方包括江苏省节能环保战新产业基金、蓝天投资等，此次融资充分体现了资本市 ...