29日业内报道，LG Display决定从明年起将双倍率驱动（DRD）方法应用于电视用OLED DDI。一位知情人士表示，“LG Display内部确认了采用DDR方法的政策。据称，LG Display 已为此与 DDI 制造商进行了讨论。

辐射探测技术在医疗影像、核安全、核物理研究和太空探索等领域发挥着关键作用。传统的气体电离室探测器虽然具有快速时间响应和灵活的结构设计优势，但其探测效率较低，难以满足高能辐射探测的需求。而现有的半导体探测器虽然探测效率高，却难以集成内部栅极结构，导致信 ...

近日，semianalysis以技术为重点，总结了今年 VLSI 大会上的精彩内容，包括顶级设计和集成技术。其中包括芯片制造领域的最新进展：晶圆厂数字孪生、先进逻辑晶体管和互连的未来、超越 1x 纳米节点的 DRAM 架构等等。

Exynos 2600 目前处于原型生产阶段，三星正借助其 2 ...

图 1. 电动汽车牵引逆变器框图 通过实时可变栅极驱动强度提高功率 栅极驱动器 IC 必须尽可能高效地导通 SiC FET，同时尽可能降低开关损耗。 控制和改变栅极驱动电流强度的能力可降低开关损耗，但代价是在开关期间增加了开关节点处的瞬态过冲。

栅极驱动器须具备足够的驱动能力来降低损耗,且在足够高的开关频率下运行时,它必须具备高CMTI、最低的寄生电感以及优化的去饱和检测和软停机 ...

米勒箝位电路利用开关器件使MOSFET的栅极与源极之间的通路发生短路。 通过在相关MOSFET的栅极和源极之间添加另一个MOSFET来实现短路。 在图4.11中，如果电压降至预定义电压以下，低于米勒电压，则通过比较器提供逻辑高，开通栅极和源极之间的 MOSFET。

关于MOS管栅极串联电阻，特别是对工作在开关状态的MOSFET栅极串联电阻的作用，通常的解释是为了防止MOSFET开关过程中产生震荡波形，这不仅会增加 ...

就隔离式栅极驱动器UCC5880-Q1而言，他并强调，TI不只提供芯片级解决方案，还提供整套系统解决方案。 “我们有一个和Wolfspeed共同开发的300kW牵引逆变器参考设计，将UCC5880-Q1和Wolfspeed的SiC模块搭配使用，并完成整体测试和认证。 ”他补充说。

六 栅极驱动电路的设计要求 对于大多数SiC MOSFET，驱动电压在-5 V > V GS > 20 V之间时性能最佳。栅极驱动电路应能承受V DD = 25 V和V EE = -10 V，以适用于 ...

栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关 (IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间 ...