追求二维材料中原始的电子质量是现代物理学和材料科学进步的核心，曼彻斯特大学的丹尼尔·戈尔巴乔夫和纳鑫领导的团队在这一领域取得了重大突破。研究人员与 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通过战略性地将 石墨栅极 放置在极靠近材料的位置，展示了 石墨烯 电子性能的变革性改进。这种创新方法涉及将栅极放置在仅一纳米之外，可显着减少电荷变化和潜在波动，最终提高 ...

美国加州的研究人员表示，将一种具有“负电容”特性的电子材料引入高功率氮化镓（GaN）晶体管中，有助于打破其现有性能限制。该成果近日发表于《Science》，实验结果表明，负电容技术能够绕过晶体管在开态性能与关态控制之间长期存在的物理权衡。研究团队指出，这一发现不仅意味着该技术在硅器件之外也具备潜力，其适用范围可能远超此前设想。

米勒箝位电路利用开关器件使MOSFET的栅极与源极之间的通路发生短路。 通过在相关MOSFET的栅极和源极之间添加另一个MOSFET来实现短路。 在图4.11中，如果电压降至预定义电压以下，低于米勒电压，则通过比较器提供逻辑高，开通栅极和源极之间的 MOSFET。

栅极驱动器须具备足够的驱动能力来降低损耗,且在足够高的开关频率下运行时,它必须具备高CMTI、最低的寄生电感以及优化的去饱和检测和软停机 ...

加州的科学家表示，集成一种具有奇特特性（称为负电容）的电子材料，可以帮助高功率氮化镓晶体管突破性能障碍。发表在《科学》杂志上的一项研究表明，负电容有助于规避通常要求晶体管在“开启”状态和“关闭”状态之间权衡的物理限制。该项目的研究人员表示，这表明，在硅中已被广泛研究的负电容，其应用范围可能比以往预想的更为广泛。

使用低侧栅极驱动器驱动MOSFET在照明、功率转换、电磁阀驱动、电机控制和其他负载应用的地电压不稳的系统中很常见。 栅极驱动器能设计为可提供能高效驱动所需的高峰值电流。 许多HVIC（高电压IC）设备用来驱动半桥拓扑应用，因此包括一个低侧栅极驱动器。

LG Display明年将发布的65英寸电视OLED所需的DDI数量将从16个减少到8个。75英寸以上OLED的DDI有效载荷也将从16个减少到8个。据悉，LG Display目前没有计划将DRD方法应用于显示器的OLED上。显示器用 OLED ...

关于MOS管栅极串联电阻，特别是对工作在开关状态的MOSFET栅极串联电阻的作用，通常的解释是为了防止MOSFET开关过程中产生震荡波形，这不仅会增加 ...

就隔离式栅极驱动器UCC5880-Q1而言，他并强调，TI不只提供芯片级解决方案，还提供整套系统解决方案。 “我们有一个和Wolfspeed共同开发的300kW牵引逆变器参考设计，将UCC5880-Q1和Wolfspeed的SiC模块搭配使用，并完成整体测试和认证。 ”他补充说。