Exynos 2600 目前处于原型生产阶段，三星正借助其 2 ...

关于MOS管栅极串联电阻，特别是对工作在开关状态的MOSFET栅极串联电阻的作用，通常的解释是为了防止MOSFET开关过程中产生震荡波形，这不仅会增加 ...

许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。

加州的科学家表示，集成一种具有奇特特性（称为负电容）的电子材料，可以帮助高功率氮化镓晶体管突破性能障碍。发表在《科学》杂志上的一项研究表明，负电容有助于规避通常要求晶体管在“开启”状态和“关闭”状态之间权衡的物理限制。该项目的研究人员表示，这表明，在硅中已被广泛研究的负电容，其应用范围可能比以往预想的更为广泛。

使用低侧栅极驱动器驱动MOSFET在照明、功率转换、电磁阀驱动、电机控制和其他负载应用的地电压不稳的系统中很常见。 栅极驱动器能设计为可提供能高效驱动所需的高峰值电流。 许多HVIC（高电压IC）设备用来驱动半桥拓扑应用，因此包括一个低侧栅极驱动器。

辐射探测技术在医疗影像、核安全、核物理研究和太空探索等领域发挥着关键作用。传统的气体电离室探测器虽然具有快速时间响应和灵活的结构设计优势，但其探测效率较低，难以满足高能辐射探测的需求。而现有的半导体探测器虽然探测效率高，却难以集成内部栅极结构，导致信 ...

在栅极电阻很小或没有栅极电阻的情况下，谐振电路将会振荡并造成 IGBT 中的高损耗。 此时需要有足够大的栅极电阻来抑制谐振电路，从而消除振荡。

栅极驱动器须具备足够的驱动能力来降低损耗,且在足够高的开关频率下运行时,它必须具备高CMTI、最低的寄生电感以及优化的去饱和检测和软停机 ...

电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在 ...

近日，京东方A（000725）迎来了新的技术里程碑，获得了一项名为“双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备”的发明专利授权。根据天眼查APP的数据显示，这项专利的申请号为CN202110685647.2，授权日期为2025年7月25日。这一创新不仅展现了京东方在显示技术领域的持续研发能力，也为用户提供了更为卓越的视觉体验。

芝能智芯出品在现代电力电子系统中，功率MOSFET的栅极驱动技术是决定系统性能的关键因素之一。传统电压模式驱动（TVMD）虽在过去被广泛应用，但随着功率器件性能的提升和应用场景的复杂化，其局限性日益显著，例如能源浪费、效率低下以及米勒效应的干扰等问题 ...