年产100万毫米碳化硅单晶项目是中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建的央地合作典范，旨在汇聚创新合力，牵引产业链上下游，打造国内领先的碳化硅单晶生长产业基地，投产后将新增100万mm碳化硅单晶和30万片碳化硅衬底的产能，并快速实现8英寸碳 ...

随着硅基芯片接近物理极限，二维材料因其优异的电学、机械等性能，成为下一代电子器件的重要候选材料。为实现大规模应用，需要制备大面积、高质量的二维单晶材料。然而，二维材料的可控制备面临三大挑战：单晶衬底制备难、生长速度慢、晶畴取向不一致。这些问题本质上是 ...

铜基卤化物闪烁体因无毒、高发光量子产率和强光输出等特性，在辐射检测与X射线成像领域备受关注。然而，现有研究仍缺乏对有机组分与铜碘簇键合模式如何影响性能的系统阐释，且传统单晶闪烁体存在尺寸受限、脆性大、环境敏感性等问题。尽管聚合物基柔性闪烁体有所进展， ...

技术优势带来显著效益，公司日产能提升12%、硅棒头尾利用率提升4%，硅片整体生产成本下降5.2%，电池片转换效率提升0.15%（未来有望提升0.5%）。这不仅能降低电池片和组件非硅成本以及BOS成本，更将带动整个产业链效率提升0.1%，推动光伏电站总 ...

据徐州日报报道，近日，江苏集芯先进材料有限公司（以下简称“江苏集芯”）成功出炉 首枚8英寸液相法（LPE）高质量碳化硅单晶。 经检测，晶体面型、晶型与结晶质量均达到预期目标，标志着江苏集芯在第三代半导体核心材料领域再下一城，也为我国碳化硅产业链的自主可控写下关键一笔。

2025年，正值蒋民华院士九十周年诞辰，山东大学晶体材料全国重点实验室主任徐现刚团队近日迎来了重大突破——我国首块12英寸半绝缘碳化硅单晶成功出炉。碳化硅是国产相控阵雷达探测距离提升3倍的“核心密码”，是新能源汽车充电时间缩短至1/3的“动力引擎”，更是中国宽禁带半导体产业突破“卡脖子”技术的“战略基石”。这一成果的背后，是蒋民华筚路蓝缕的开创和一代接班人矢志不渝的坚守与不断前行。

据悉，年产100万毫米碳化硅单晶项目是中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建的央地合作典范，旨在汇聚创新合力，牵引产业链上下游，打造国内领先的碳化硅单晶生长产业基地。该项目固定资产投资约17亿元，项目建设完成后，将新增年产6-8英寸碳化硅单晶100万mm及30万片碳化硅衬底的能力，并快速实现8英寸碳化硅衬底的产业化和12英寸碳化硅衬底的工程化应用。

国内GaSb单晶技术也发展迅速，2~4英寸GaSb单晶片也实现了批量生产应用，6英寸单晶片加工技术也在研发中。 与国外水平相比，国内GaSb晶体质量达到了国际同等水平，但是在晶片表面质量和稳定性方面还需进一步提升。

随着N型硅片放量，低氧型、超导磁场单晶炉正引领行业新一轮技术变革，有望打开更大市场空间。 受益于单晶迭代多晶+大尺寸迭代小尺寸双重技术 ...

中科院西安光机所联合北京科研团队取得重大新突破成功合成世界首颗“超级钻石”六方金刚石记者关颖超硬材料领域里程碑式突破！8月1日记者从中国科学院西安光机所获悉。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中国广核（003816）新获得一项发明专利授权，专利名为“放射性废物固化处理评估方法及替代核素的可行性评估方法”，专利申请号为CN202210287394.8，授权日为2025年8月1日。

随着N型硅片放量，低氧型、超导磁场单晶炉正引领行业新一轮技术变革，有望打开更大市场空间。 受益于单晶迭代多晶+大尺寸迭代小尺寸双重技术迭代，光伏单晶炉行业近年快速增长。随着N型硅片放量，低氧型、超导磁场 ...