资讯
随着硅基芯片接近物理极限,二维材料因其优异的电学、机械等性能,成为下一代电子器件的重要候选材料。为实现大规模应用,需要制备大面积、高质量的二维单晶材料。然而,二维材料的可控制备面临三大挑战:单晶衬底制备难、生长速度慢、晶畴取向不一致。这些问题本质上是 ...
随着N型硅片放量,低氧型、超导磁场单晶炉正引领行业新一轮技术变革,有望打开更大市场空间。 受益于单晶迭代多晶+大尺寸迭代小尺寸双重技术迭代,光伏单晶炉行业近年快速增长。随着N型硅片放量,低氧型、超导磁场 ...
高分子单晶对于从分子层面理解高分子的结构-性能关系有很重要的意义。不久前,我们刚刚报道了一个来自美国西北大学诺奖得主团队有关聚电解质 ...
4 天
芯智讯 on MSN12英寸N型碳化硅单晶材料,天成半导体成功突破!据“天成半导体”官方微信公众号7月23日消息,2025年第二季度,山西天成半导体材料有限公司(简称“天成半导体”)成功研制出12英寸(300mm)N型碳化硅单晶材料。 据介绍,天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产,先后攻克 ...
随着N型硅片放量,低氧型、超导磁场单晶炉正引领行业新一轮技术变革,有望打开更大市场空间。 受益于单晶迭代多晶+大尺寸迭代小尺寸双重技术 ...
2011年,协鑫发布了“鑫单晶”类单晶G1硅片,其转换效率最高可达18.5%,接近传统的直拉单晶硅片;2013年,发布第二代类单晶硅片产品鑫单晶G2硅片 ...
据悉,天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产,先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺。12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发,是天成半导体发展史上的一个重要里程碑,更是迈向新征程的起点。
但c-BN尺寸小,难以获得大面积高质量的单晶金刚石。 单晶Si片由于较容易获得,引起了学者的广泛研究。 德国Davis等在偏压增强形核技术提出之后,首次利用MPCVD在Si(001)制备了高定向金刚石外延层,并提出Si 和金刚石之间的化学键影响了取向关系的论点。
中国相关单位从上世纪70年代开始研制单晶高温合金,由于当时经济技术实力不足,工业基础也比较薄弱,一直到90年代才研制出第1代单晶叶片,从 ...
岁末年关,世界首个旋式铸造单晶炉在江西赛维集团研制成功。该旋式铸造单晶炉由中国科学院陈仙辉院士团队和光伏老牌企业赛维集团技术团队 ...
国产二代单晶高压涡轮叶片 叶片又是高压涡轮关键部件,从国内外先进航空发动机发展来看,单晶叶片由于优异的耐高温、抗蠕变、抗热疲劳、抗 ...
3 基于单晶压电薄膜异质衬底的声表面波滤波器技术 相比于压电晶圆,压电异质衬底中的异质界面能够有效地将高声速声波模式的能量约束在压电薄膜中,提高器件的频率与Q值;此外,低热膨胀系数、高热导率的支撑衬底还有利于提高SAW器件的温度稳定性。
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果